李爷爷跟邓爷挂了电话直接联系正在羊城军区政治部、司令部几个老小子，几人一听到自己以前从团长就一直跟到军长邓老哥竟然在羊城激动骂李爷爷太不当人了，说老首长在羊城竟然不告诉他们，李爷爷不是我不想告诉你们呀，是邓老哥让我不要跟你们说呀，说自己当时在手术，你们几个老小子他太了解了，肯定得天天过来守着，到时候得把武警医院变成军区医院就麻烦了！

一听到自己老首长竟然做了手术，他们直接说道：老李，你告诉我现在老首长怎么样了？身体恢复过来了没？你要是不说实话，老子直接突突突你！

老张，你要是这样说我老李就挂电话了，老首长身体要是没有恢复过来我能打电话给你们吗？

算了！不说了，老李我还有工作要忙呢！

就这样哈，老张，老赵、老王、老孔，我们有空再聊哈！

老李别呀，你说你这个人咋就这么小气呢，咋还不让人说了，好了，我们错了。你快告诉我们老首长住在哪里，我们现在就去看望他。

要告诉你们也行，你们藏着的那几瓶好酒看，最近老李我酒瘾是日见上涨呀！

好你个老李，我就说嘛！原来你在这里等着我们。

哈哈……我不这样，你能把藏得好酒给我喝吗？

酒给你喝，但是你现在告诉我老首长在哪里住。

你们几个现在过来我这边接我，然后我们一起过去，你们记得别穿制服、穿便衣，不然动静太大了，这也是老首长一直不愿意让我跟你们说的原因。

行，老李你说什么就是什么，我们几个现在过来找你，老张，老赵、老王、老孔，把警卫叫过让他们把制服换成便衣开车来到武警医院楼下直接打电话给李爷爷让他下来，自己等人已经在楼下等他了！

李爷爷走到楼下看到军区的车子直接朝那边走去，走到车门边时一位便衣警卫下来让他上车。

一行人开车来到珠江花园小区来到邓小嵩别墅门口按了门铃后，王阿姨打开门问道：请问你们找谁呢？

此时的李爷爷说道：王阿姨，你不认识我了呀？

原来是李院长呀，是找邓老爷子？快请进，

李爷爷带着老张，老赵、老王、老孔来到客厅里看着邓爷爷跟蓝雨阳坐在沙发上喝着茶说道：邓老哥，你看谁来了！

老爷子转身望向老张，老赵、老王、老孔四人，四人看着老爷子带着有些激动情绪说道：首长，我们终于又再次相遇了！

自从授衔过后首长你就消失不见，问上面的人你去哪里了，上面的人也不说，只说你很安全，这一分别我们就几十年未见了。

老爷子看着四个曾经的部下，用着以前在部队的语气说道：行了，别他娘的在这里煽情，老子又没死，要煽情也要等老子死了再煽情，都过来坐下，小李子你也过来坐下。

四人被老爷子一顿话说的不敢吭声像个孩子一样一起坐在沙发上。

随后老爷子又跟王阿姨说道：王阿姨你去菜市场买几个菜，这几个朋友在这里吃饭。

王阿姨也听出邓老爷子言外之话，她放下手中的抹布解下围巾拿起菜篮离开别墅去菜市场买菜了。

然后邓老爷子对着老张一个眼神，老张立马心领会神明白老爷子的意思，他让警卫在门口守着不要让人进来。

等警卫出门站在门口后，邓老爷子率先说道：今天把你们四个叫过来

1、是我们也有几十年没见了。

2、我这个晚辈有一个公司即将研发出一个对夏国军事、航天、医疗有着巨大影响科技芯片。

3、让你们过来有没有办法设法联系以前还在那个位置的几个人，我到京都见他们一面。

几人听到首长这么说讲，他们问起他身旁这位是？

老爷子把蓝雨阳介绍给几个部下认识，让蓝雨阳叫他们几个爷爷。

蓝雨阳对着几人叫道：张爷爷，赵爷爷，孔爷爷，王爷爷。

孩子你好，首长说的那个可以对夏国军事、航天、医疗科技带来飞速发展的是什么东西，孩子你可以跟我们讲讲吗？

蓝雨阳说道：半个月后公司产品可演示了可正常运行的32纳米处理器，此自1989年起一直有条不紊地实现其称为“Tick-Tock模式”的新产品创新节奏，然后国外即每隔一年交替推出新一代的先进制程技术和处理器微体系架构。2005年的P1264 65纳米 (Core)已经基本被淘汰，2007年的P1266 45 纳米 (Penryn)早已全面普及，而今年就轮到我们公司的中芯4代32 纳米，我们也是沿着国外那些45纳米研究作出新的突破。

而为了完成处理器产品向32nm技术的过渡，我们公司在未来两年内在深城建立4家芯片生产厂。位于深城的中芯3代芯片厂目前已经投入使用。

32纳米制程技术是基于45纳米技术基础上的改良加强版本，总体归纳起来主要有以下三点。

第一点

1：32纳米制程技术的基础是第二代高k+金属栅极晶体管。我们对第一代高k+金属栅极晶体管进行了众多改进。在45纳米制程中，高k电介质的等效氧化层厚度为1.0纳米。而在32纳米制程中，由于在关键层上首次使用沉浸式光刻技术，所以此氧化层的厚度仅为0.9纳米，而栅极长度则缩短为30纳米。晶体管的栅极间距每两年缩小0.7倍——32纳米制程采用了业内最紧凑的栅极间距（ 第四代32nm技术将使112.5nm栅极间距 ）。32纳米制程采用了与我们公司45纳米制程一样的置换金属栅极工艺流程，这样有利于我们公司充分利用现有的成功工艺。这些改进对于缩小集成电路（IC）尺寸、提高晶体管的性能至关重要。

采用高k+金属栅极晶体管的32纳米制程技术可以帮助设计人员同时优化电路的尺寸和性能。由于氧化层厚度减小，栅极长度缩短，晶体管的性能可以提高22%以上。这些晶体管的驱动电流和栅极长度创造了业内最佳纪录。

我们公司的第一颗32纳米 SRAM芯片将在半个月完成，到时候我们生产的晶体管数量将会超过19亿个，单元面积0.171平方微米，容量291Mb，运行速度4GHz，相对比而言，45nm时代处理器的单元面积是0.346平方微米(AMD的是0.370平方微米)。

第二点

2：32纳米技术针对漏电电流做出了优化。与45纳米制程相比，NMOS晶体管的漏电量减少5倍多，PMOS晶体管的漏电量则减少10倍以上。换句话讲，根据NMOS、PMOS晶体管泄漏电流和驱动电流的对比，32nm的能效相比45nm会有明显提高──要么能在同样的漏电率下提高晶体管速度(14-22%)，要么能在同样的速度下降低漏电率(5-10倍)。因此由于上述改进，电路的尺寸和性能均可得到显着优化。