华微旗下的企业几十家，关系网络不是现在的华芯能够比拟的。

倪雅南还沉浸在刚才刘永锐的话语暗示中，忽然回过神来，思索几秒后说道，

“只是这三样生产线设备的话，问题不大，想想办法应该可以搞到，不过也得分散采购。”

路阳趁热打铁，“最好在年前运回国内，这事就拜托你们了。”

再过几天，那件大事就要发生，届时华微可就不一定能分出精力来帮忙了，必须在11月底前把事情定下来。

倪雅南见路阳亲自开口，也不好推脱，“路总放心，这事我亲自盯。”

“回头我让华荣的负责人联系你，资金由那边出！”

路阳这样安排也是有意让胡稚对接上华微，也许在其他方面也可以用下华微的采购渠道，以胡稚的精明，不用他打招呼那边都能明白。

几人又把事情的大致时间节点确认，详细的进度表这些交给何洪年去做。

第二次与华微的接触，双方都获得了想要的东西，晚餐自然是其乐融融。

回到公寓，路阳简单洗漱后，在电脑上查看DUV光刻机镜头的组装工艺以及相关教程。

光刻需要让紫外光经过掩膜版，把图案精确的聚集到基片上。

对高精度的光刻，图案的畸变要求小于几nm甚至1nm。

为了补偿畸变，需要对透镜或者反射镜精确调节，以前是对透镜或者反射镜的微元进行调节，现在比较先进的方法，对透镜或者反射镜进行温度控制来调节光路，最常见的一种做法是LELE（litho-etch-litho-etch）。

简单讲，就是做两次光刻，把掩模板的位置错开。

相邻的金属线如果做在同一层光掩膜版上，彼此之间就不能做的很近，但如果相邻金属线做在两层不同的光掩模版上的话，彼此之间就可以非常靠近。

这样，只需要把靠近的金属分布在两层不同的光掩模板上，就可以达到想要的效果。

另一种SADP（自对准双重成像技术）。

先通过较低精度的光刻，做出突起的光刻胶保护层（mandrel）。

再在“mandrel”的表面和侧面沉积一层厚度相对比较均匀的薄膜垫片，使用离子刻蚀工艺把沉积的垫片材料再刻蚀掉。由于“mandrel”侧壁的几何效应，沉积在图形两侧的晶圆材料会残留下来。垫片图形的间距是”mandrel”间距的一半，从而实现了空间图形密度的倍增。

理论上来说45纳米精度的DUV光刻机可以通过两次曝光生产7纳米制程的芯片，28纳米精度的DUV光刻机单次曝光就可以实现，无论是哪种方案，都需要研发人员的评估。

这方面路阳可以说是门外汉，但有廖老把关，只要设备能正常运行起来，无论结果如何，系统这边应该都会给出优化方案。

这便是路阳的计划，尽快让设备动起来，让系统去纠错，而且系统给的优化方案，在技术上会更先进。