造不如买，买不如租，在华微被针对之前，华国很多大厂都是这种态度，尤其是手机厂商，当然表面不会如此直白，但看看他们的实际行动就知道了。

米家、V家、O家华国手机巨头，使用的芯片几乎都是来自台鸡电或三星代工生产的，而设计方面全是米国高通的ARM架构设计的手机芯片，只有华微海思在设计方面拥有达芬奇架构自研技术。

从光刻机的发展路径来看，共经历了5次大的迭代，依次是g线，i线，KrF，ArF，EUV一共5代，其中浸没式技术ArFi为4.5代。

第1，2代的技术已经是非常老旧了，对应波长分别是436与365纳米，属于微米级别的制程，光源主要是汞灯。

从第3代开始进入纳米制程，KrF使用的是氟化氪准分子激光，波长进入248纳米，可以实现350，180纳米的芯片制程。

第4代ArF，使用的是氟化氩准分子激光，波长进入193纳米，对应的制程是65纳米，而浸没式技术的发明，在单次曝光上可以做到28纳米的芯片制程。

第5代EUV，使用的是等离子光源，波长达到了13.5纳米，对应制程达到14纳米以下，EUV的发明，极限制程打破1纳米是迟早的事，不过当制程达到2纳米后，会发生电子隧穿效应，如果不能解决这个问题，1，2纳米的芯片是无法量产的。

目前能够提供EUV光源的只有米国Cymer与岛国的Gigaphoton，而华国的光源厂目前还处在第4代ArF，用于干刻。

申城微电子现在使用的光源是华虹提供的，针对浸没式技术还在攻关中。

华芯联合长春光机所、大连光源联合开发的EUV光源为DPP-EUV，也就是放电泵浦极紫外光源，功率为12W，勉强达到要求，ASML使用的LPP-EUV为激光泵浦极紫外光源，功率为250W，这中间的差距估计有3-5代技术。

因为极紫外光极易被吸收，所以DPP-EUV需要通过放大器实现总功率达20KW的光能才能使用，承担这个任务的就是由华芯，大连光源，长春光机所联合成立的华芯光学完成，目前正在大连光源全力攻克。

柴文政与丁冉对光源部分做了一番分析总结后都觉得悬。

“大连光源已经是国内最先进的激光制造商了，如果他们都不能完成的话，也找不到谁来替代了。”柴文政说道，上次开会那边已经确认可以稳定提供20KW的稳定功率，现在正在全力攻克25KW，吸收后能直接使用的功率为50W。

丁冉问道：“现在还不能做镜面反射试验，吸收率还无法估算，为什么不直接使用激光泵浦极紫外光源，这样稳妥些。”

“你以为他们不想吗？第一是没有那个技术，第二是专利侵权，只要国外那两家厂商知道我们要买激光泵浦极紫外光源，也就知道我们在造EUV了，现在还不是时候。”

就在柴文政与丁冉商讨试验的的同时，大连光源，25KW放电泵浦极紫外光源试验正在做第三轮改进试验。

周宇正紧张的盯着显示屏的实时数据，这已经是第三轮修正了，25KW光源始终不能稳定输出。

“周宇，我感觉这次有机会了，凡事不可再三嘛。”一旁的纪益玲安慰道，这个月他们几乎没回过家，带着团队一直在实验室做优化。

“但愿吧！”周宇淡淡说道，自从两个月前加入小组后，他已不再傲气，专家组都是来自各单位的顶级专家，连23所那样的传说机构都派人参与了，虽然他俩在其中年纪最小，但不能成为短板。

纪益玲继续说道：“听说这次结束后，上面有意让我们进入华芯光学，负责后续的开发。”