次日何洪年带领的海思团队如约而至，随行的有温天洋以及20多名技术总工。

这是双方的第一次碰头会，华芯这边除了周怀义与路阳，还有苏硅现在的负责人王顺和。

廖老出席并主持了会议，地点选在苏硅半导体这边，时间对于两边都是分秒必争。

一番简单介绍后，廖锡昌直入主题，直接说道，

“今天是12月5日，距离春节不到2个月时间，希望在节前能拿出成果，你们手上的资料是关于90纳米DUV光刻机的升级改造计划，路阳，保密协议都安排好了吧。”

没待路阳回答，何洪年先说道：“廖老放心，这次来的团队都做好了审查，也签署了相关保密协议，今天到场的人员签署的都是最高级别的协议。”

这第三次的接触，华微海思这边整体感觉像换了个人似的，短时间内便组织筛选好人员，胡稚那边也传来好消息，在华微的帮助下，采购计划顺利了许多。

“那就好，大家先看看你们手上的资料，今天会议主要目的就是，升级成45纳米的精度还是直接到28纳米，两者的难度都做了详细的标注。”

光刻机分为三类：一是主要用于生产芯片的光刻机；二是用于封装的光刻机；三是用于LED制造领域的投影光刻机。

其中用于生产芯片的光刻机，根据不同的技术路线和技术参数也分为泵灯光源光刻机、DUV光刻机、EUV光刻机。

国内其他低端制程的芯片目前主要使用的就是来自岛国的泵灯光源光刻机，主要生产的芯片都在200纳米以上，满足大部分的基础需求。

国际上主流使用的就只有DUV与EUV光刻机，目前EUV已逐步交付，遗憾的是华国买不到，都被台鸡电与三星垄断。

两者主要有以下区别：

DUV光刻机最小分辨率为7纳米，使用浸入式技术，制程最高可达3-5nm，但成本巨大技术难度极高，因此DUV极限分辨率为7nm，本次改造的最终目的就是想一步到位。

EUV光刻机则用于7纳米以上的精密制程，路阳在穿越米国已经实现了1纳米的极限制程，打破了摩尔定律，对于华国来说，这条路还很漫长。

事实上，在浸润式光刻机推出之前，业界采用的均是干式光刻机，即介质为空气，193nm波长的光线，直接进行光刻。

而在干式光刻机技术中，尼康、佳能才是巨头。早期ASML，还只是一个小工厂，与尼康、佳能完全不是一个级别的。

后来是ASML押宝浸润式光刻机，某了尼康、佳能的命，把尼康、佳能踩在了脚下，而浸润式光刻机技术的发明者正是来自台鸡电的林本坚博士。

干刻的原理并不复杂，直接使用193纳米波长的光线进行光刻，极限精度在65纳米。

湿刻就是让193纳米波长的光源，经过水的折射后，获得更短波长的光源，这便是浸润式的核心原理了。

路阳获取的EUV制造资料中就有浸润式的详细内容，虽然是用于EUV的，但原理相通，廖老在拿到资料后就组织申城微电子那边做出了一套适合DUV光刻机的浸润式技术，并且还不受专利限制。